Intel представила прототип новой памяти Z-Angle Memory (ZAM), разработанной совместно с компанией Saimemory. Технология позиционируется как потенциальная альтернатива HBM в сегменте высокопроизводительных вычислений, сообщает WCCFTech.
Презентация состоялась на мероприятии Intel Connection Japan 2026. Ранее ZAM упоминалась преимущественно в научных публикациях и корпоративных материалах, однако теперь компания раскрыла первые технические детали.
Ключевое отличие Z-Angle Memory заключается в использовании ступенчатой межсоединительной топологии: контакты в стеках кристаллов прокладываются по диагонали, а не вертикально, как в традиционной HBM-архитектуре. По заявлению разработчиков, такая схема обеспечивает более эффективный теплоотвод, что критически важно для плотных модулей памяти, применяемых в ИИ-ускорителях и HPC-системах.
Среди заявленных преимуществ ZAM называют снижение энергопотребления на 40–50%, упрощение производственного процесса за счет новой структуры интерконнектов и увеличение емкости одного чипа до 512 ГБ.
Степень вовлеченности Intel в операционную реализацию проекта пока не раскрывается полностью. В презентационных материалах компания указывает на роль стратегического инвестора и участника ключевых решений.
Эксперты отмечают, что, несмотря на амбициозные характеристики, говорить о скором пересмотре цен на высокопроизводительную память или структурных изменениях в сегменте HBM преждевременно: технология находится на ранней стадии развития и требует масштабирования производства.
Ранее сообщалось, что рост цен на память вынудил Apple оптимизировать издержки.
