Слушать новости
Телеграм: @gazetaru
СПРАВКА

Фотолитография

В полупроводниковой индустрии и микромеханике при использовании технологии литографии поступают следующим образом. Кремниевую пластину, на которой собираются вытравливать микрообъекты, покрывают слоем специального компонента - так называемого фоторезиста. Затем покрытую фоторезистом пластину облучают светом определенной длины волны, при этом на пути света ставят шаблон, чтобы поверхность фоторезиста оказалась засвеченной лишь в нужных местах.

В результате облучения фоторезист становится растворимым, и эти растворимые участки смываются с поверхности кремния водой. Незасвеченная область не смывается и формирует так называемую маску для травления кремния, которое является следующей стадией. На сегодняшний день существует несколько методик травления кремния, включая травление раствором щелочей и плазмо-химическое травление.

В процессе травления кремния свободные от фоторезиста участки растворяются частично или полностью, покрытые же фоторезистом остаются в первозданном виде или же скорость их травления можно контролировать. В конце процесса фоторезистная маска смывается и на выходе получается кремниевая пластина с нанесенным на неё рельефом.

Комбинации различных приемов химического травления и маскирования поверхности кремния с помощью фоторезиста в ряде случаев могут быть использованы даже для получения на поверхности объектов нанометрового масштаба.


ВЕРНУТЬСЯ К СТАТЬЕ