Одноэлектронные устройства
(Single Electron Devices, SED) – перспективные устройства, позволяющие минимизировать потребляемую мощность и рабочие напряжения интегральных микросхем будущего. Благодаря наличию областей сверхмалой проводимости, имеющих очень низкую ёмкость, они позволяют получать заметные изменения напряжения в схеме манипуляциями с единичными электронами.
При этом можно изолировать соответствующую область от туннелирования электронов через её границы с помощью эффекта кулоновской блокады, который и используется для управления током – по сути, перемещением отдельных электронов – внутрь и из области.
Фундаментальной основой одноэлектронной электроники является одноэлектронный транзистор (SET). Он содержит только одну область проводимости, соединённую с истоковым и стоковым электродами туннельными барьерами. Электрод затвора управляет протекающим через область проводимости током посредством ёмкостной связи с областью.
В перспективных устройствах, имеющих несколько областей со взаимной ёмкостной связью, возможна реализация принципиально новых логических схем.